Ульрафиолетовая литография — достижения Intel

Корпорация Intel объявила о достижении двух важных рубежей в разработке технологии EUV-литографии (Extreme Ultraviolet — сверхжесткое ультрафиолетовое излучение), на которой будут основаны микропроцессоры будущего. Корпорация установила первый в мире коммерческий аппарат EUV-литографии и пилотную линию по нанесению EUV-масок, что знаменует собой переход данной технологии из стадии исследований в стадию разработки и развития.

Литография — это технология печати схем на компьютерных микросхемах. Для того, чтобы помещать в микросхемы все больше и больше транзисторов, производители полупроводниковых устройств вынуждены постоянно уменьшать их размер. Разработка технологии EUV-литографии вызвана тем, что в ближайшие годы используемая ныне технология печати микросхем достигнет пределов возможного. Корпорация Intel планирует начать массовое производство устройств на базе новой технологии в 2009 году.

Аппарат EUV Micro Exposure Tool (MET) и установка пилотной производственной линии по нанесению EUV-масок позволят корпорации Intel изготавливать печатные схемы с проектной нормой до 30 нанометров и подготовиться к последующему переходу на 15-нанометровую технологию на базе EUV-литографии. Для сравнения: минимальный размер печатных схем, которые изготавливаются сегодня на производственных линиях Intel, составляет 50 нанометров.

<Мы планируем начать использовать технологию EUV-литографии для производства процессоров на базе 32-нанометровой технологии в 2009 году, — говорит Кен Дэвид (Ken David), директор по исследованиям компонентов подразделения Technology and Manufacturing Group корпорации Intel. — Эта технология поможет нам следовать закону Мура и в следующем десятилетии>.

Так же, как художнику нужны тонкие кисти для нанесения на картину тонких штрихов, производителям полупроводниковых устройств нужны все более короткие световые волны для печати самых миниатюрных схем. В современной оптической литографии используются волны большей длины, не способные обеспечить печать крошечных схем при уменьшении размера транзисторов и других элементов в последующие годы. Поскольку технология EUV-литографии использует световые волны длиной около 13,5 нм, что на порядок ниже по сравнению с используемыми сегодня волнами длиной 193 нм, эта технология будет играть важнейшую роль в производстве будущих микросхем, хотя на стадии разработки еще предстоит решить ряд важных задач.

Корпорация Intel использует устройство MET для решения двух ключевых задач в разработке технологии EUV-литографии: для создания фоторезиста, важного химического вещества, используемого для печати микросхем, и для решения проблемы воздействия неточностей маски, включающей шаблон схемы для печати на подложке. Аппарат MET также позволит корпорации Intel сконцентрировать усилия на оптимизации переменных, требуемых для печати крошечных компонентов при массовом производстве.

Помимо установки аппарата MET, корпорация Intel развернула пилотную производственную линию EUV-масок. Она станет основой будущего производства масок, которым корпорация Intel планирует заняться самостоятельно. Пилотная линия интегрирует EUV-модули в используемый в корпорации Intel производственный процесс изготовления масок и включает первые в мире средства создания EUV-масок на промышленном уровне.

Хотя сами по себе установка аппарата MET и пилотной линии по нанесению EUV-масок знаменуют собой достижение важного рубежа, корпорация Intel продолжает активно вкладывать средства в разработку инфраструктуры и дополнительных средств, которые обеспечат готовность к началу массового производства на базе EUV-литографии в 2009 году. Стратегические инвестиции в научные исследования, технические разработки и совместные проекты с такими компаниями, как Cymer, Media Lario и NaWoTec, приближают внедрение технологии EUV-литографии.