Главная :: Архив статей :: Гостевая :: Ссылки

Наши друзья

Архивное дело: частный архив, поиск документов в архивах стран СНГ и Европы, генеалогия, составление родословных, архивные справки

Помощь сайту

WEB-Money:
R935344738975

Наша кнопка

XArhive - архив научно-популярных и просто интересных статей

Партнеры

Главная страница > Архив новостей

80 лет Евгению Веснику!

В среду, 15 января, исполняется 80 лет известному актеру театра и кино Евгению Веснику.>Он родился в семье армейского комиссара. Со второго курса театрального института был призван на фронт, закончил войну в звании лейтенанта в Кенигсберге. Вернувшись в Москву, Весник поступил в Театральное училище им.Щепкина, дебютировал как актер в Московском театре им.Станиславского, затем выступал в Театре сатиры, а с 1964 года стал одним из ведущих мастеров Малого театра. На его счету — около 100 театральных ролей, а также несколько режиссерских работ. Популярность у миллионов зрителей Веснику принесли кинематограф и телевидение: он снялся более чем в 90 телепостановках и фильмах, среди которых = "Отелло", "Дело номер 306", "Сильные духом", "Угрюм-река". Жизнь артиста не была "усыпана розами": в 14 лет он фактически остался сиротой, его родители стали жертвами сталинских репрессий. "У меня началась война с государством, когда арестовали и расстреляли моего отца, когда мать приговорили к 18 годам заключения", — сказал Весник в одном из интервью. В театре Весник знаменит и тем, что он первым сыграл роль Остапа Бендера. Но одним из самых значительных персонажей в творчестве артиста стал Городничий в "Ревизоре". 22 года он играл этого персонажа сначала на сцене Малого театра в постановке Игоря Ильинского, а затем и в своей собственной режиссерской версии. Весник успешно выступает на литературном поприще. К его 70-летию он выпустил книгу "Дарю, что помню", а к 75-летнему юбилею издал сборник мемуаров "Смешно — куда ни глянь". В 1991 году актер ушел на пенсию. И хотя с тех пор Весник не выступает на подмостках, зрители по сей день помнят и любят творчество этого выдающегося мастера.

По материалам РИА "Новости"

Подготовил
Олег Любимов

Тайвань устремился вдогонку за МОЗУ

МОЗУ — это магнитные энергонезависимые оперативные запоминающие устройства. Первому, сумевшему заменить сегодняшнююполупроводниковуюоперативную память на энергонезависимуюмагнитную, сулят баснословные барыши. Такую возможность предоставляют фирмам приборы на эффекте гигантского магнитосопротивления. В гонку включились ведущие мировые компьютерные компании.

Изготовленные компаниейIBMпервые образцы МОЗУ имеют следующие параметры:

  • время записи 2.3нс (это в 1000 раз и в 20 раз меньше, чем у энергонезависимых полупроводниковых флэш-ЗУ и у сегнетоэлектрических ЗУ соответственно);

  • время выборки 3нс (это в 20 раз быстрее, чем у полупроводниковых динамических ОЗУ).

Кроме того, МОЗУ имеют высокую радиационную стойкость. У полупроводниковых ОЗУ, по оценкам, интенсивность случайных сбоев возрастает при масштабировании схемы ниже 100нм.

В настоящее время только крупные изготовители приборов добились более или менее существенных успехов в разработке МОЗУ. Фирма Motorola готовится к массовому выпуску 4Мб МОЗУ в 2004 году. Фирма IBM изготовилатестовыеобразцы 1Мб МОЗУ и планирует выпустить в 2004 году коммерческую версию 256Мб МОЗУ, изготовленную по 0.13мкм технологии.

В разработку магнитных ОЗУ включилась Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. (TSMC). Совместно с государственным предприятиям Electronics Research and Service OrganizationTSMCбудет разрабатывать структуру базовой ячейки и процессы травления и осаждения тонких магнитных пленок. Детали совместного проекта (срок запуска опытного или массового производства) умалчиваются, известно лишь, что структура ячеек и тестовые схемы, разрабатываются с нуля, без использования лицензий. Тестовые структуры — магнитные туннельные переходы, будут изготавливаться по 0.18мкм технологии. Магнитный туннельный переход представляет собой многослойный сэндвич из диэлектриков и магнитных материалов. Поскольку толщина диэлектрического слоя должна быть не более 10A, его формирование между двумя ферромагнитными слоями на 200мм пластине — задача непростая. Но коль скоро этот тип сэндвичевой структуры обещает заманчивые функциональные и параметрические преимущества, технологи вынуждены принять этот вызов.

http//www.siliconstrategies.com/printableArticle?doc_id=OEG20020322S0028 26.03.02

ПЕРСТ

Главная :: Архив статей :: Гостевая :: Ссылки