Новые физические свойства золота

Физики из Института технологий американского штата Джорджия сообщили об обнаружении двух ранее неизвестных свойств золота, которые драгоценный металл проявляет на микроскопическом уровне. В масштабе "ньютоновской физики" эти свойства отсутствуют, говорят ученые.

Во-первых, специалисты обнаружили, что под воздействием электрического поля тончайший слой золота способен менять свою молекулярную структуру с трехмерной до плоской, после же отключения поля, структура вновь становилась трехмерной.

Также обнаружено, что в случае воздействия электрического поля на охлажденную поверхность с золотым напылением, нанокластеры драгоценного метала способны проводить каталитическое окисление, превращая оксид углерода СО в углекислый газ СО2.

Во-вторых, исследователи обнаружили, что наноструктуры золота, при их окислении, обретают магнетические свойства, более того, при наращивании золотой нанотрубки до определенного предела она выступает, как проводник электрического тока, а сверх этого предела — как изолятор. По словам американских ученых, впервые удалось создать условия, в которых один и тот же металл выступает и как проводник и как изолятор тока.

Физики из Института технологий говорят, что в ближайшем будущем обнаруженные свойства найдут свое применение в промышленности, особенно в электронной.

"В микроскопических масштабах даже золото выступает как катализатор, предоставляя ученым ранее неизвестные химические, механические, электрические и магнетические свойства, которых нет в физическом макромире. На базе этих знаний можно будет создавать новые электрические или химические сенсоры, а также сверхточную электронику", — говорят авторы открытий. Об этом сообщает CyberSecurity.

Производители процессоров вступают в железный век

Индустрия микропроцессоров меняет конструкцию транзисторов, чтобы начать новый виток гонки за быстродействием. Почти 40 лет производители микросхем изготавливали затворы транзисторных ключей из кремния. Теперь же Intel, IBM и AMD планируют использовать для этой цели новые материалы, которые значительно уменьшат ток утечки и позволят повысить производительность чипов. Кремниевую долину переименовывать не придется, так как основным материалом для микросхем остается кремний. Однако затворы транзисторов становятся металлическими, а для тонкой изолирующей прослойки между затвором и каналом, так называемого "подзатворного оксида", тоже будут применяться новые материалы.

Intel планирует внести эти изменения в семейство процессоров Penryn, которое планируется выпустить в этом году, одновременно с переходом на 45-нм технологию. В четверг компания продемонстрировала группе журналистов и аналитиков серверы, построенные на опытных образцах этих чипов.

IBM и AMD при переходе на 45-нм технологический процесс в 2008 году тоже планируют использовать металлические затворы и подзатворные оксиды с высокой диэлектрической проницаемостью (high-k). Компании заключили соглашение о сотрудничестве в сфере разработки новых методов производства полупроводников.

High-k диэлектрики позволяют сделать подзатворный слой толще, уменьшив тем самым ток утечки транзистора. Однако они взаимодействуют с затвором из поликремния, что препятствует достижению высокого быстродействия. Для решения этой проблемы затвор выполняется из металла. Главная сложность заключается в выборе правильного сочетания металлов и диэлектрика. Intel изготавливает диэлектрик на основе гафния. Она уже опробовала металлические ключи с high-k диэлектриком в микросхемах памяти SRAM (static RAM), которые Intel производят по 45-нм технологии.

Пленка из диэлектрика создается методом атомного напыления -материал наносится последовательными слоями толщиной всего в один атом. AMD и IBM планируют использовать для изготовления своих процессоров так называемый метод иммерсионной литографии, при котором дорожки наносятся на пластину, когда она погружена в дистиллированную воду.

Intel пока придерживается существующей технологии, но, возможно, воспользуется иммерсионной литографией в будущем для изготовления 32-нм чипов. Об этом сообщает AlgoNet