Главная :: Архив статей :: Гостевая :: Ссылки

Наши друзья

Архивное дело: частный архив, поиск документов в архивах стран СНГ и Европы, генеалогия, составление родословных, архивные справки

Помощь сайту

WEB-Money:
R935344738975

Наша кнопка

XArhive - архив научно-популярных и просто интересных статей

Партнеры

Главная страница > Архив новостей

Intel усовершенствовала транзисторы следующего поколения

Intel заявила об успешном изготовлении полевого транзистора с использованием индий-галлий-арсенида (InGaAs) на кремниевой подложке путём интегрирования затвора с высокой диэлектрической постоянной. Изолятор с высоким значением этого параметра позволяет уменьшить толщину оксида затвора без последствий в виде роста утечек зарядов. Получившийся комплексный полупроводниковый элемент с квантовыми ямами (quantum-well FET, QFET; квантовая яма — это структура, где частицы ограничены одной координатой) продемонстрировал высокие скорость переноса и ток возбуждения, что делает архитектуру InGaAs-on-Si привлекательным решением, но масштаб элементов должен быть снижен перед коммерциализацией технологии.

По словам вице-президента Technology and Manufacturing Group и директора подразделения исследований компонентов в Intel Labs Майка Мэйберри (Mike Mayberry), длина затвора составляет 40 нм, однако контакты по-прежнему большие. Следующая задача заключается в их уменьшении, что минимизирует барьер между металлическими контактами и квантовой ямой. Intel более трёх лет работает над составными полупроводниками с целью интегрирования быстродействующих InGaAs-транзисторов на кремниевых подложках. Были преодолены несколько препятствий на пути к коммерциализации полупроводников класса III-V (с элементами соответствующих групп периодической таблицы), включая возможность объединения транзисторов из кремния и InGaAs на одном кристалле и создание элементов p- и n-типа.

Чипмейкер разработал диэлектрик с высоким значением диэлектрической постоянной (high-k dielectric), отличный от материала, используемого в кремниевых транзисторах. В новом high-k-материале используется комплексная структура из 4-нм слоя тантала и оксида кремния на 2-нм запирающем слое из индий-фосфора. Чтобы получить высокую мобильность переноса в QFET, два материала буферного слоя — индий-алюминий-арсенид и индий-фосфор — были размещены между диэлектриком и квантовой ямой. Мэйберри уверен, что транзисторы класса III-V могут начать вытеснять традиционные кремниевые технологии с 2015 года, но только если задачи интеграции будут решены. В противном случае такие элементы всё равно станут кандидатами на совмещение с кремнием для специализированных областей, таких как фотонные устройства и транзисторы для периферийной поддержки работы чипа.

20 ноября 2007 года в 18 часов состоится презентация и встреча с автором и издателями книги: Русская теургическая эстетика

20 ноября 2007 года в 18 часов в библиотеке истории русской философии и культуры "Дом А.Ф. Лосева "Москва, ул. Арбат д. 33/12 состоится презентация и встреча с автором и издателями книги: В.В. Бычков Русская теургическая эстетика

Бычков В.В.

Русская теургическая эстетика. M.: Ладомир, 2007 г. — 746 стр.

ISBN 978-5-86218-468-6

Завершающая книга проекта автора по изучению восточно-христианской линии развития эстетики (Отцы Церкви, Византия, Древняя Русь, Россия Нового времени) посвящена последнему наиболее плодотворному этапу двухтысячелетней истории православного эстетического сознания. Понятием "теургическая эстетика" обозначено еще малоисследованное мощное направление в русской имплицитной эстетике конца XIX — первой половины XX века, включающей взгляды крупнейших религиозных мыслителей (Вл.Соловьева, Д. Мережковского, В. Розанова, Н. Бердяева, П. Флоренского, С. Булгакова, И. Ильина, С. Франка, Н. Лосского и др.), теоретиков символизма (Вяч.Иванова, А. Блока, А. Белого, Эллиса), некоторых авангардистов (В.Кандинского, К. Малевича, В. Хлебникова). Одной из главных линий этой эстетики стал эсхатологический подход к художественному творчеству, т. е. понимание художника как боговдохновляемого теурга, призванного выйти за пределы искусства и начать творить самую жизнь людей и все бытие по эстетическим законам. Основные ее принципы: метафизический смысл красоты, всеобъемлющий символизм, духовность, художественность, софийность искусства, теургизм. Все это существенно повысило статус эстетики и по-новому высветило многие значительные эстетические темы, актуальность которых сохраняется и сегодня. Теургическая эстетика одухотворяла практически все художественные искания Серебряного века русской культуры.

РП — инфо

Главная :: Архив статей :: Гостевая :: Ссылки