Перспективный материал для ночных прицелов — моносульфид редких земель

Фотоэмиттеры с отрицательным электронным сродством (ОЭС) — одно из важнейших (с военно-прикладной точки зрения) применений полупроводников [1]. Эффект ОЭС достигается нанесением на поверхность полупроводника с дырочным типом проводимости специального очень тонкого покрытия, работа выхода из которого много меньше, чем из самого полупроводника. Например, достаточно нанести на поверхностьp-Si(100) монослой из атомов цезия и энергия дна зоны проводимости в объёме кристалла окажется выше уровня вакуума на поверхности — это и будет ОЭС. В такой ситуации фотовозбуждённые электроны с охотой покидают полупроводник и вылетают в вакуум, если, конечно, они: а) не погибнут по дороге к поверхности (встретив на своём пути ненасытную дырку); и б) не отразятся от границы раздела полупроводник/активирующее покрытие. К несчастью, и то, и другое всегда имеет место быть.

Тем не менее, по величине внешнего квантового выхода в интересной для ночных охотников инфракрасной области спектра (λ>0.8мкм) у фотокатодов с ОЭС просто нет конкурентов. Чаще всего, ОЭС покрытие — это цезий+кислород. Кислород иногда заменяют на фтор, получается тоже неплохо. И всё же тонкое аморфное покрытие, состоящее из летучих веществ, довольно капризно. И разработчики, и изготовители этого популярного прибора давно пытаются заменить его на более прочную монокристаллическую плёнку. К тому же, цена современного прибора ночного видения, использующего цезиевое покрытие, сравнима со стоимостью среднего автомобиля.

В этой ситуации на сцене появляются соединения редкоземельных металлов с халькогенами (серой, селеном или теллуром). Несмотря на простоту кристаллической структуры монохалькогенидов (типа поваренной соли), межатомная связь у них удивительно прочная: температура плавления моносульфидов, например, почти всегда выше 20000С. По своим электронным свойствам это типичные металлы, но с удивительно малой работой выхода (<1.5эВ). Поэтому, если, например, на поверхностиp+-InP(100) эпитаксиально вырастить 2-3 монослоя моносульфида лантана (LaS), то, как показывают недавно опубликованные расчёты [2], получится структура с ОЭС. Дополнительная удача — у этой пары близкие постоянные решетки: дляInP— 5.869Å, дляLaS— 5.854Å. Аналогичный эффект ожидается и в гетеропареNdS/GaAs. Для производителей приборов ночного видения это хорошая новость. И стимул для постановки соответствующих НИР, ОКР и, в конечном счёте, для выпуска изделий, в которых так нуждается, в частности, любой спецназ.

С. Чикичев (ИФП СО РАН)

1.J.S.Escher. NEA semiconductor photoemitters. Semiconductors and Semimetals, 1981, 15, pp.195-300

2. O.Eriksson, M.Cahay, J.M.Wills. Negative electron affinity material: LaS on InP. Phys. Rev. B, 2002, 65, paper 033304

PERST

add red. lenty

420 российских исследователей корпорации Intel

Корпорация Intel удвоила численность сотрудников своих научно-исследовательских центров в России, зачислив в штат более 420 новых специалистов. Теперь, кроме Нижнего Новгорода, Сарова и Санкт-Петербурга, в России Intel будет вести исследования и разработки еще и в Новосибирске, существенно расширяется также научно-исследовательская деятельность Intel в Москве. Новые российские cпециалисты по разработке ПО зачислены в штат Intel в соответствии с договором, заключенным в мае этого года с компаниями Эльбрус и УниПро через подразделение корпоративного стратегического инвестирования Intel Capital. С того времени были совершены необходимые заключительные условия, в результате чего договор вступил в силу. Финансовые условия соглашения не разглашаются. Идея заключения договора с компаниями Эльбрус и УниПро возникла в связи с дальнейшим расширением масштабов деятельности корпорации Intel по созданию в России научно-исследовательской структуры мирового уровня. Эта деятельность направлена на разработку программного обеспечения для существующих и будущих поколений процессоров Intel. На протяжении последних 12 лет ею занималось научно-исследовательское подразделение Intel Labs. В мае 2000 г. Intel Labs открыло Центр исследований и разработок Intel в Нижнем Новгороде. Со временем они стали тесно сотрудничать с коллективами программистов компании в Сарове и Москве, занимаясь созданием средств разработки программного обеспечения, а также прикладного ПО для беспроводной связи, графики, мультимедиа и библиотек математических функций для выполнения технических и деловых вычислений. В июле 2004 г. в рамках соглашения с компанией Эльбрус корпорация Intel открыла еще один научно-исследовательский центр — в Санкт-Петербурге. Сотрудники этого Центра занимаются разработкой программного обеспечения для сред с управляемым кодом — MRTE (Managed Run Time Environment). Направление MRTE недавно было выделено в отдельное подразделение, которое входит в состав Группы разработки ПО и решений (Software Solutions Group — SSG) корпорации Intel.