"Вес воды"

"Вес воды" (The Weight Of Wafer) CША, 2000 г., 110 мин.

Реж. Кэтрин Бигелоу. В ролях: Кэтрин Картлидж, Элизабет Херли, Шон Пенн, Кэтрин Маккормак, Сара Полли, Ульрих Томсен.

Женщина-фотограф вместе с мужем-писателем приезжают на некий остров. Она должна раскрыть тайну стародавнего, более чем векового, убийства женщин, чтобы написать статью для глянцевого журнала. Естественно, она начинает отождествлять себя с жертвой, чтобы домыслить произошедшее. А поэт-писатель Томас (Ш. Пенн) тем временем увлекается красивой подругой (Э.Херли) яхтсмена, который, собственно, и должен доставить всю компанию на место преступления. Сегодняшний день монтируется со вчерашним, прошлое проецируется на настоящее, нечаянная любовь внезапного гостя (стародавний моряк Вагнер) приводит к гибельным последствиям, убийца, как и должно было быть, оказывается жертвой, а жертва хладнокровным и расчетливым убийцей. Страсть, вожделение, запретные чувства — все должен смыть шторм. Женщина — изначально жертва мужских инстинктов. Для усиления драматизма — музыка, как смех за кадром, подсказывающий, где смеяться. В данном случае, где переживать. В итоге получается неловкий гибрид исторической драмы, психологического триллера и обыкновенной любовной мелодрамы. Все понятно. Непонятно только одно: почему Шон Пенн писатель? Вот к Элизабет Херли вопросов нет: она изображает женщину-вамп, ей играть ничего не надо, у нее, говорят, фигура. А почему же Шон Пенн писатель? Может, потому что постоянно пьет красное вино (он — в творческом кризисе) и заявляет, что "все зло от женщин"?

Виктор Никитин, Воронеж

Память все лучше и лучше

Компании Infineon Technologies и IBM сообщили о новом успехе в разработке технологии магнитной оперативной памяти (MRAM). Исследователям удалось добиться рекордной на нынешний день степени плотности записи, а общий объем памяти микросхемы достиг 16 Мбит. Этот успех позволяет надеяться, что в ближайшие год-два магнитная память, независящая от внешних источников питания, станет главным претендентом на роль универсального модуля памяти в смартфонах, ноутбуках и других мобильных устройствах.

Напомним, что магнитная оперативная память (более точное название — магнито-резистивная память) использует для сохранения данных намагниченность, а не электрический заряд, как в наиболее распространенных сейчас модулях оперативной памяти компьютеров. Технология MRAM приведет к созданию компьютеров, которые будут практически моментально включаться, поскольку программное обеспечение может быть постоянно заложено в оперативной памяти.

Начало разработок MRAM было положено в конце 80-х годов, когда было обнаружено явление<гигантской магниторезистивности>в тонких пленках. MRAM-память отличается высоким быстродействием — запись первых битов происходит приблизительно в миллион раз быстрее, чем в микросхемах флэш-памяти. Разница во временах считывания информации менее разительная, но тоже существенная — в три раза быстрее, чем у модулей флэш-памяти NOR-типа, и в 1000 раз быстрее, чем у флэш-памяти NAND-типа.

Еще одно важное отличие — по сравнению с NAND-технологией, MRAM потребляет значительно меньше энергии для записи и считывания. Размер самой ячейки памяти — 1,42 квадратных микрона, устройство создано с помощью технологического процесса на основе 0,18-микронной логики. Микросхема памяти разделена на два блока по 8 Мбит, каждый из которых, в свою очередь, разделен на 64 блока по 128 Кбит — эти блоки уже являются единой сборкой, для производства которой использовалась так называемая технология 1T1MTJ (один транзистор — один магнитный туннельный переход).