|
Главная :: Архив статей :: |
Наши друзья Помощь сайту R935344738975 Наша кнопка Партнеры |
Главная страница > Архив новостей НАСА наградило своих партнеров из малого бизнесаВ Вашингтоне в штаб-квартире NASA 24 сентября в рамках программы поддержки мелкого бизнеса состоялась церемония награждения компаний, достигших наилучших производственных показателей в минувшем году.
Учные раскрывают тайны графенаТеоретические исследования и молекулярное моделирование вещества в наномасштабе, проведенные исследователями из Национальной лаборатории Оакс-Бридж департамента энергии США, значительно углубили понимание свойств графена и его потенциальных применений в электронике. Группа ученых под руководством Бобби Самптера, Винсента Мойнера и Эдуардо Крус-Силвы обнаружили механизм образования замкнутых контуров в графене. Подобные контуры, возникающие в процессе очистки графена, делают материал непригодным для его практических применений в современной электронике. Поэтому возможности предотвратить их появление представляют значительный практический интерес. Используя методы квантовой молекулярной динамики, ученые смоделировали на суперкомпьютере в Оакс-Бридж процесс очистки графена. Результаты работы опубликованы в последнем номере журнала Physical Review Letters. Было показано, что введение дополнительных электронов в лист графена, например, в процессе трансмиссионной электронной микроскопии, приводит к изменению его структуры и предотвращает образование замкнутых контуров. <Изображение на электронном микроскопе вы можете модифицировать в процессе получения>, — говорит Самптер. Качество графена определяется в основном чистотой и однородностью его краев. Согласно прошлой статье Мойнера и Сампера в журнале Science, улучшения однородности краев графена можно добиться пропусканием через материал электрического тока. Молекулярное моделирование обнаружило незамеченный ранее промежуточный этап — образование замкнутых контуров при спекании слоев графена во время пропускания через него тока. Проведенная работа позволила не только понять этот процесс на атомистическом уровне, но и определить методы, позволяющие избегать образования замкнутых контуров. Об этом сообщает Информнаука со ссылкой на Physorg.com.
Главная :: Архив статей :: |