HP готовится к выпуску памяти в 100 раз быстрее, чем флэш

Компания Hewlett-Packard объявила о подписании соглашения о сотрудничестве с южнокорейской Hynix Semiconductor с целью коммерциализации нового элемента электрической цепи — мемристора. Об этом говорится в распространенном сегодня официальном заявлении.

В рамках достигнутых договоренностей стороны займутся совместной разработкой новых материалов и технологий производства мемристоров, которые планируется воплотить в форме ReRAM (резистивной памяти со случайным доступом). Кроме того, созданные технологии останутся на вооружении Hynix в дальнейших исследованиях и разработках.

ReRAM — энергонезависимый тип памяти, отличающийся низким энергопотреблением. Ученые полагают, что данная технология в перспективе может заменить NAND-память, которая в настоящее время используется в мобильных телефонах, MP3-плеерах, цифровых камерах и другой электронике. ReRAM также может выступать в качестве универсального носителя — то есть в роли постоянной и оперативной памяти (DRAM) одновременно.

По результатам опытов выяснилось, что мемристорам требуется меньше энергии для работы, они быстрее SSD и могут сохранять информацию при выключенном питании. Мемристор (memory resistor —<резистор памяти>) был предложен в качестве четвертого основного элемента электросхемы профессором Университета Калифорнии в Беркли Леоном Чуа (Leon Chua) в 1971 г. и впервые реализован на практике разработчиками HP Labs, главного научно-исследовательского подразделения компании, в 2006 г.

В начале 2010 г. исследователи HP Labs сообщили об открытии, согласно которому мемристоры также могут совершать логические операции. Это позволяет верить, что устройства, созданные на основе мемристоров, могут изменить сложившуюся парадигму обработки данных при помощи отдельного центрального процессора, позволив в будущем выполнять аналогичные операции прямо на чипах, хранящих информацию.

<Мемристор сильно отличается от любого другого элемента, — рассказывает Стэнли Вильямс (Stanley Williams), почетный сотрудник HP Labs, занимающейся разработкой нового элемента с 1998 г. — Ни сопротивление, ни конденсатор, ни катушка индуктивности не смогут дать свойства мемристора, как бы их ни объединяли>. Мемристор — это не триггер. Он запоминает направление следования электронов и, кроме того, величину приложенного к нему тока. Ученые подсчитали, что новая технология в 100 раз быстрее по сравнению с флэш-памятью и примерно в 10 раз эффективнее в плане энергопотребления.

Аналитики, однако, без особого энтузиазма смотрят на разработку. По словам Мартина Рейнольдса (Martin Reynolds) из Gartner, несмотря на все достигнутые успехи к настоящему времени, ничто не может гарантировать того, что новая технология будет в конечном счете реализована в потребительских товарах.<В лабораториях все выглядит здорово, — комментирует аналитик. — Однако пока неизвестно, что будет, если вы соберете воедино триллионы мемристоров и поместите их в одно устройство, будет ли оно работать так, как вам захочется>.