Прорыв Intel в производстве процессоров

Корпорация Intel объявила о создании прототипа нового сверхбыстрого и при том очень экономичного транзистора. Это стало возможным благодаря использованию новых материалов, которые во второй половине следующего десятилетия могут послужить основой усовершенствованных микропроцессоров и других логических схем.

Инженеры компаний Intel и QinetiQ продемонстрировали работающий в режиме обогащения транзистор, в котором в качестве токопроводящего материала используется антимонид индия (химическое обозначение — InSb). Как известно, транзисторы в микропроцессорах управляют переносом электрических зарядов и, соответственно, информации. Представленный прототип транзистора работает гораздо быстрее и потребляет меньше энергии, чем современные транзисторы. Инженеры Intel рассчитывают, что новый материал прекрасно дополнит достоинства полупроводников, а это, в свою очередь, продлит срок действия закона Мура.

Значительное снижение энергопотребления на уровне транзисторов в сочетании с существенным повышением производительности имеет большое значение для дальнейшего развития вычислительных платформ, позволяя реализовать в них дополнительные функции и возможности. Это, например, может существенно продлить срок автономной работы мобильных устройств и открывает новые возможности для создания более компактных и в то же время более мощных систем.

<Результаты исследований позволяют с уверенностью утверждать, что у нас будут средства реализации потенциала закона Мура и после 2015 года, — заявил Кен Дэвид, руководитель группы исследований компонентов отделения Technology and Manufacturing Group корпорации Intel. — Мы рассчитываем, что нам удастся воплотить достоинства новых материалов в более совершенных полупроводниковых схемах, как это уже произошло со многими другими техническими достижениями Intel. Обеспечивая повышение производительности в полтора раза и потребляя примерно в 10 раз меньше энергии, транзисторы из нового материала предоставят нам великолепные возможности для создания платформ, более эффективных во всех отношениях>.

Антимонид индия относится к так называемым композиционным полупроводникам III-V, которые в настоящее время используются в различных автономных и интегрированных системах, таких как высокочастотные усилители, микроволновые устройства и полупроводниковые лазеры.

Транзисторы с каналами из антимонида индия уже анонсировались инженерами Intel и QinetiQ ранее. Анонсированные сегодня транзисторы с длиной затвора 85 нанометров отличаются от них еще меньшими размерами (более чем в 2 раза). Новые транзисторы, работающие в режиме обогащения, были продемонстрированы впервые. Транзисторы этого типа являются самыми распространенными транзисторами, используемыми в микропроцессорах и других логических схемах. Новые транзисторы могут работать при напряжении около 0,5 В (это примерно вдвое меньше, чем напряжение, используемое транзисторами современных процессоров). Благодаря этому можно существенно снизить энергопотребление процессоров.

<Данное исследование — прекрасный пример того, как компания QinetiQ в сотрудничестве с Intel и другими ведущими компаниями мира разрабатывает технологии с отличным коммерческим потенциалом>, — подчеркнул Тим Филлипс, коммерческий руководитель отделения Fast Transistors Group компании QinetiQ.

На конференции IEDM, прошедшей 5-7 декабря в столице США — Вашингтоне, был представлен официальный документ, посвященный этому достижению. Документ называется<85nm Gate Length Enhancement and Depletion mode InSb Quantum Well Transistors for Ultra High Speed and Very Low Power Digital Logic Applications (<Сверхвысокая скорость и очень низкое энергопотребление: транзисторы из антимонида индия с длиной затвора 85 нм, работающие в режиме обеднения на основе<квантового колодца>)>.